ИПФ РАН: Литографы для производства микроэлектроники сверхмалого нанометража

Продукт
Разработчики: ИПФ РАН - Институт прикладной физики Федеральный исследовательский центр
Дата премьеры системы: 2022/10/21
Отрасли: Электротехника и микроэлектроника

Основные средства:

2022: Ход разработки литографа для выпуска чипов с топологией 7 нм

В Институте прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН) в Нижнем Новгороде ведется разработка российской установки литографии для производства микроэлектроники сверхмалого нанометража. Об этом стало известно 21 октября 2022 года.

Источник фото: msk1.ru

Учеными РАН на октябрь 2022 года создан демонстрационный образец оборудования. На этой установке получены отдельные изображения на подложках с разрешением до предельных 7 нм.

«Микрон» — контрактный вендор полупроводников, который способен выпускать относительно актуальные чипы. На предприятии освоен выпуск микросхем по топологии 65 нм, но лишь для штучных партий — инженерных образцов. Массовое же производство налажено лишь для топологии не ниже 90 нм.Обзор российского рынка банковской цифровизации: импортозамещение, искусственный интеллект и собственные экосистемы 6.9 т

Промышленный образец отечественного литографа на 7 нм планируется создать через шесть лет. Так, в 2024 г. будет создана «альфа-машина». Такая установка станет рабочим оборудованием, на котором можно будет проводить полный цикл операций.

На втором этапе в 2026 г. появится «бета-машина». Системы оборудования будут улучшены и усложнены, увеличится разрешение, повысится производительность, многие операции будут роботизированы, отмечается на сайте нижегородской стратегии. Установку уже можно будет применять на масштабных производствах.

И на третьем этапе (2026-2028 гг.) отечественный литограф получит более мощный источник излучения, улучшенные системы позиционирования и подачи, и начнет полноценную работу.

По сравнению, например, с литографами ASML в нижегородской модели источник излучения в разы компактнее и чище в работе, отметил Николай Чхало. По его словам, последнее обстоятельство значительно влияет на стоимость, размеры и сложность оборудования.

На выходе при равной мощности источника излучения отечественная установка будет в 1,5-2 раза эффективнее того, что создано ASML[1].

Примечания